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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(n. v. adj. adv.是啥，英语词性分类12种及缩写yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合n. v. adj. adv.是啥，英语词性分类12种及缩写约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时n. v. adj. adv.是啥，英语词性分类12种及缩写代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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